Розробка IBM замінить оперативну і флеш-пам’ять

размещено в: Новости | 0
Розробка IBM замінить оперативну і флеш-пам’ять
0 голосов, 0.00 общий. рейтинг (0% сумма)

Дослідницька лабораторія IBM Research оголосила про здійснення прориву в розробці нового типу комп’ютерної пам’яті на фазових переходах (PCM). У перспективі технологія IBM дозволить електронним пристроям перейти від модулів оперативної пам’яті і флеш-накопичувачів, які швидше зношуються і виходять з ладу, до швидкому і надійному типом зберігання даних.

PCM (phase-change memory) — це новий, незалежний тип оптичного зберігання інформації, який працює за допомогою зміни властивостей халькогенідних скла (таким же чином дані зберігаються на перезаписуваних дисках Blu-ray) шляхом прикладання електричного струму до PCM-клітинок.

 

Раніше можливості пам’яті з фазовим переходом були обмежені через неможливість записати більше одного біта інформації в комірку. Проте вчені IBM, з’ясувавши, як кристали реагують на високі температури, змогли знайти спосіб зберігання трьох бітів даних в кожній комірці пам’яті. Відкриття є дуже важливим, оскільки при цій щільності ціна PCM буде значно нижче, ніж DRAM, і ближче до флеш”, — сказали в компанії.

Більш того, PCM в рази швидше традиційної флеш-пам’яті і DRAM (динамічної оперативної пам’яті з довільним доступом). Поєднання постійної пам’яті і PCM дозволить суттєво підвищити швидкодію мобільних пристроїв. “Наприклад, операційна система мобільного телефону може зберігатися в PCM, скорочуючи час завантаження до кількох секунд”, — йдеться в прес-релізі IBM.

Від PCM виграють і дата-центри, які зможуть швидше обробляти величезні масиви інформації, пов’язані з “хмарними” обчисленнями, фінансовими транзакціями і машинним навчанням. В порівнянні із звичайною флеш-пам’яттю, якої вистачає приблизно на 3 тисячі циклів запису, PCM здатна витримати до 10 мільйонів операцій.

Джерело: The Verge

Оставить ответ